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硅光无源mpw流片技术服务竞价结果公告(JJ26102010455677)
发布时间：
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硅光无源mpw流片技术服务
竞价结果公告(JJ26102010455677)
成交单位：登录查看
成交价： 登录查看
说明：各有关当事人对竞价结果有异议的，可以在竞价结果公告发布之日起3天内通过规定途径提起异议，逾期将视为无异议，不予受理。
采购单位：登录查看 | 登录查看 |
E-mail：****** | 联系电话：****** |
传真：****** | 联系手机：****** |
邮编：****** | 平台联系电话（异议）：****** |
| 项目名称： 硅光无源mpw流片技术服务 | 竞价编号：JJ26102010455677 |
采购类型：服务类 | 开始时间：2026-10-20 10:45:56 |
项目预算(元)：登录查看 | 登录查看 |
质保期及售后要求：无 | |
其他要求：无 |
响应情况
| 资格及商务响应情况 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 项目 | 竞价要求 | 响应情况 | ||
| 资格条件 | 原厂或原厂授权 | 拥有 8 英寸fab厂，于 2017 年建成运行。可进行MEMS智能传感器、硅基光子学、生物芯片等领域流片。洁净室面积近 5000 平方米，硬件投入超过 登录查看，拥有各类主流设备 150多台。 | ||
| 付款方式 | 完成合同约定内容，验收通过并收到发票后20个工作日内，支付100%合同金额。 | 完成合同约定内容，验收通过并收到发票后20个工作日内，支付100%合同金额。 | ||
| 交付时间 | 合同签订后5个工作日内交付 | 合同签订后5个工作日内交付 | ||
| 履约保证金： | 无需履约保证金 | 响应 | ||
| 交付地址 | 登录查看大学城校区理九栋3楼304 | |||
| 质保期及售后要求 | 无 | 无 | ||
| 其他要求： | 无 | 无 | ||
| 报价情况 | ||||
| 登录查看 | 生产厂商/品牌、型号规格 | 数量 | 响应情况 | 单价（元/%） |
| 登录查看 | 上海新微技术研发中心、无 | 25.00 | 登录查看、 / | 登录查看 |
| 总报价 | 登录查看 | |||
| 登录查看 | ||||
| 登录查看 | 技术要求 | 响应情况 | ||
| 登录查看 | 每个芯片版图面积3.0mm×10.0mm，最小工艺节点 90nm，pdk中包含以下器件：单模波导、边缘耦合器、光栅耦合器、1×2耦合器、2×2耦合器（2×2MMI）、99/1定向耦合器、95/5定向耦合器、热光移相器等。 1.工作波段：1530nm-1560nm； 2.最大输入光功率：20mW； 3.波导传输损耗：＜2.2dB/cm； 4.工作温度：20℃-45℃； 5.光栅耦合器差值损耗：＜4.5dB/facet； 6.2*2多模干涉仪差值损耗：＜0.25dB。 7.C波边缘耦合器:TE/TM损耗：~ 2.2Db/Facet | 硅光无源mpw技术服务1个block，包含25颗芯片，每个芯片版图面积3.0mm×10.0mm，最小工艺节点 90nm，pdk中包含以下器件：单模波导、边缘耦合器、光栅耦合器、1×2耦合器、2×2耦合器（2×2MMI）、99/1定向耦合器、95/5定向耦合器、热光移相器等。 1.工作波段：1530nm-1560nm； 2.最大输入光功率：20mW； 3.波导传输损耗：＜2.2dB/cm； 4.工作温度：20℃-45℃； 5.光栅耦合器差值损耗：＜4.5dB/facet； 6.2*2多模干涉仪差值损耗：＜0.25dB。 7.C波边缘耦合器:TE/TM损耗：~ 2.2Db/Facet | ||
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