MPW流片服务采购采购公告

服务内容

1、工艺：需基于先进RDL CuPI技术的650V氮化镓 SOI衬底工艺。
2、样品数量：不少于40片。
3、层级: 金属间层：2，顶金属层：1。
4、面积: 5.18 mm x 5.18 mm.
5、技术要求：需使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在200mm SOI晶片（Si（100）/SiO2/Si（111））上外延生长GaN层。该堆叠由AlN成核层、（Al）GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和掺杂Mg的p-GaN层组成。
6、具体功能:
6.1、需使用沟槽隔离在单个IC上集成多个晶体管。
6.2、需降低系统寄生电感。
7、应用领域：可应用于大功率开关和功率转换：100V和650V .
8、工艺选项：可用Cu/Ni/Au RDL引线键合或者用CuRDL/Cu柱直接安装在PCB上。
9、拓扑结构：DC-DC转换器。
10、需提供晶圆制造服务流程完整的PDK，支持Cadence，Mentor，Synopsys，Tanne并且支持晶体管级和门级的电路设计，综合、自动布局布线、版图设计及后端验证，并提供相应的库文件。

服务期限

1年

售后要求

无